半导体材料考研学校，半导体材料考研学校排名
12月3日，韩国媒体《先驱经济报》发表文章称，全球半导体咨询公司TechInsight认为，中国最大的存储芯片公司长江存储科技领先三星电子、SK海力士、美光科技一步，在世界上首次量产出200层以上的3D NAND闪存。
TechInsight在上个月29日的一份报告中说，“我们发现长江存储生产了 Xtacking 3.0 232层NAND闪存。虽然市场领导者都在生产200层以上的NAND闪存，但长江存储最先量产出了这些闪存，鉴于目前的创新步伐，长江存储有望在2030年之前成为独一无二的全球NAND闪存技术领导者。”
TechInsight上个月表示，通过对安装在杭州海康威视数码科技公司监控摄像头上的2TB SSD进行“逆向工程”，得出了上述结论。逆向工程是对完成的产品进行分析，掌握产品适用的技术的分析工程。TechInsight称，“在长江存储的XTacking架构中，存储器阵列被翻转，并与非存储器半导体CMOS结合在一起”，对于这种做法，此前长江存储称可以将产品开发时间至少缩短3个月，并将制造周期缩短20%。但据悉，长江存储没有公开表明立场。也就是说，公司并没有正式宣布推出232层NAND闪存。
NAND闪存的堆叠技术是垂直堆叠单元，以增加数据容量的技术，被认为是该产品竞争力的核心要素。层数越多，在同一面积上就能实现高容量，因此堆叠技术与良品率一起被认为是技术竞争力的代表性衡量标准。
NAND闪存是一种存储半导体，即使在电源关闭时也能存储数据。它主要安装在智能手机、PC和服务器中。最近在半导体业界，NAND单元堆叠竞争非常激烈。
三星电子上月7日表示，世界最大容量1Tb第八代V-NAND已进入量产阶段。这距离去年年末推出176层第七代V-NAND已经过去了一年左右。虽然没有公开单数，但一直强调已经具备了制作200层以上NAND的技术能力。业界推测三星电子的第8代V-NAND为236层。
多层方式是三星电子在2013年首次发明的技术。原本在NAND闪存市场上，厂商竞争的是在二维平面上把芯片做得更小，同时提高集成度，存储更多数据的方式。但是三星当时打破了现有的概念，首次发布了24层3D NAND，让业界大吃一惊。此后直到100层以上的第6代，三星电子一直占据世界第一的位置。
但有评价称，最近全球竞争公司的技术能力让人感到威胁。今年7月，美光宣布将量产232层产品，率先突破200层大关，令业界紧张不已。美光继第7代176层之后，在第8代也接连夺得了“第一”的头衔，证明了自己是不容小觑的竞争对手。排名第二的SK海力士最近也完成了238层的开发，正在准备明年批量生产。排名第3、4位的Kioxia和西部数据也决定联手开发200层以上的产品。
今年7月，美光和SK海力士分别宣布开发232层和238层NAND闪存。首次突破被视为技术壁垒局限的200层大关的是美国的美光，SK海力士的238层NAND闪存的层数最高，制造尺寸为全球最小。
但TechInsight主张，长江存储在他们之前生产出了200多层NAND闪存，TechInsight评价称：“这些先进技术使长江存储成为全球半导体行业的重要竞争对手。”
三星电子计划今后在堆叠竞争中进一步踩下油门。正在筹备2024年第9代V-NAND量产，并宣布2030年量产1000层以上V-NAND。
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